米乐m6官方网站:FD-SOI成≥12nm和≤28nm区间更好的选择三星、格罗方德等公司如何布局？
发烧友网报道（文/吴子鹏）全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）是一种平面工艺技术，能利用衬底偏压（body bias）提供广泛的性能以及功耗选项，兼具低功耗、近二维平面、高性能、低成本的特点，非常适合于面临性能和功耗双重挑战的相关应用，比如
在2024年第九届上海FD-SOI论坛上，来自芯原股份、三星电子、意法半导体和IBS等公司的嘉宾着重分享了当前FD-SOI发展的前沿信息，以及这些重点公司的布局。
第九届上海FD-SOI论坛上，IBS首席执行官Handel Jones分享的主题是《人工智能的影响，以及为何FD-SOI技术如此重要》。这和他去年的演讲主题比较像，去年他分享的主题是《为什么FD-SOI对生成式AI时代的边缘设备很重要》，当时他主要谈到FD-SOI技术的市场发展现状与趋势，尤其是该技术在AIGC时代的应用前景。通过具体分析和比较FD-SOI、Bulk CMOS和FinFET三种技术在不同工艺节点的晶体管成本，Handel Jones指出FD-SOI工艺在成本上更具优势。
在今年的分享中，Handel Jones则主要提到了FD-SOI的重点应用，其中一个是人工智能加速器，2020年这一市场规模为57亿美元，到2030年将暴涨到1328亿美元。目前，边缘AI加速器正在加速开发，高吞吐量和低功耗是主要的挑战，虽然产业界也在开发低功耗版本的CMOS和FinFET工艺，不过FD-SOI是更好的选择。
第二个典型应用是智能手机和可穿戴设备市场，智能手机是汇集可穿戴设备信息的枢纽。在下一代设备开发的过程中，更出色的传感器是获得竞争力的关键，其中图像传感器可用于数字健康、智能交通和机器人等应用，而FD-SOI是打造领先图像传感器的理想工艺。
此外，Handel Jones还提到了电源管理、智能显示器、智能驾驶域处理器等案例，在这些案例中FD-SOI工艺都能轻松的获得不错的市场机会。Handel Jones表示，当前全球半导体仍处于快速地发展的过程中，到2030年半导体市场将强劲增长至1.3万亿美元，其中生成式AI是主要的推动力量，将会广泛影响智能手机等终端设备。为了推动AI更好的发展，在≥12nm和≤28nm这个工艺区间，FD-SOI是更好的选择。
第九届上海FD-SOI论坛上，芯原股份创始人、董事长兼总裁戴伟民博士做开幕致辞，并分享了过往和当前FD-SOI发展的一些情况，以及芯原在FD-SOI提供的解决方案。
戴伟民博士回顾了过去很多年FD-SOI发展的重要的历史节点，如下图所示，其中主要包括：
他指出，“过去很多年，我们从始至终在畅想FD-SOI工艺的发展和前景。不过，现在FD-SOI慢慢的变成了当前的主流工艺之一，芯原也去参加了。”目前，芯原在FD-SOI方面拥有丰富的解决方案。芯原22nm FD-SOI IP包括模数混合IP、RFIP和接口IP等。其中，模数混合IP包含59种不同方案，包括基础IP、DACIP和接口等，目前已经向40家客户授权260多次FD-SOI IP核，为全球主要客户提供约30个芯片设计项目，25个项目正在生产中。比如，瑞萨RA 32位Cortex-M系列中的首款22nmMCU就采用了芯原的FD-SOI IP。
同时，戴伟民博士也分享了目前FD-SOI发展的一些前沿进展。首先是欧盟已经决定投资12nm FD-SOI——2022年7月12日，法国总统马克龙、欧盟专员、GlobalFoundries首席执行官托马斯·考尔菲尔德和意法半导体总裁兼首席执行官让-马克·奇瑞共同宣布，意法半导体和GlobalFoundries将在法国建造一座新的12英寸晶圆厂，用于12纳米FD-SOI，以推进FD-SOI生态系统。
其次是此前意法半导体与三星联合推出18nm FD-SOI技术——2024年3月19日，意法半导体和三星联合宣布采用18nm FD-SOI技术用于ePCM。
第九届上海FD-SOI论坛上，格罗方德亚洲区总裁兼中国区主席洪启财分享的主题《解锁未来：推动 FDX®（FD-SOI）技术进步》。去年，格罗方德的嘉宾也谈到了该公司了22FDX工艺当时的进展，最重要的包含面向AI应用的22FDX平台融合了最新的AI和机器学习技术；面向IoT应用的22FDX平台能够支持包括蓝牙Wi-FiZigbee等在内的广泛的无线通信协议；另外，格罗方德优化了车规级的22FDX平台，先进的毫米波雷达解决方案已被博世等公司采用。
洪启财表示，目前格罗方德依然在积极优化22FDX的产能，比如将22FDX平台的生产地做调整，从德国扩展到了马其他和纽约；同时，格罗方德也在优化22FDX工艺的多样性，并强大生态系统。
关于22FDX的优化细节，格罗方德首先强化了其功能丰富性，面向更多特征应用推出22FDX工艺；在FD-SOI特征性能方面，主要是优化性能和功耗，帮助打造更高性能和更低功耗的产品；在RF-SOI方面，主要帮助RF器件提供射频性能，提升器件的功率密度、效率，并降低能耗。
通过这些优化，22FDX目前的应用领域已经很广泛，包括智能移动电子设备、无线MCU、HMI、智能传感器和卫星通信等。
今年，格罗方德更加明确了FD-SOI后续的发展路线年该企业主要致力于进行22FDX的功能创新和eNVM应用创新，2028年之后格罗方德将推出下一代FD-SOI技术。
第九届上海FD-SOI论坛上，三星电子18FDS工艺集成与项目经理Jinha Park分享的主题为《FD-SOI 的合作与新突破》。
今年上半年，三星在FD-SOI工艺上面再进一步。3月份，意法半导体（STMicroelectronics）宣布与三星联合推出18nm FD-SOI工艺。该工艺支持嵌入式相变存储器（ePCM）。
在FD-SOI领域，三星已经深耕多年，其和意法半导体之间的合作也已经持续多年。早在2014年，意法半导体就曾对外宣布，选择三星28nm FD-SOI工艺来量产自己的产品。意法半导体表示，相较于其现在使用的40nm eNVM技术，采用ePCM的18nm FD-SOI工艺大幅度的提高了性能参数：其在能效上提升了50%，数字密度上提升了3倍，同时可容纳更大的片上存储器，拥有更低的噪声系数。
Jinha Park进一步分享了三星18FDS的一些特征性能。首先，三星18FDS工艺原生支持3.3V，可以让外部设备使用更高的3.3V进行传输，相较于1.8V传输有着更高的传输速度和效率。
第三点，三星18FDS工艺提供PPA（功率、性能和面积/成本）分析功能。PPA的优化一直是芯片设计的核心目标。然而，随技术的慢慢的提升和复杂系统的兴起，这些传统指标的相关性正逐渐减弱。也就是说，在当前的芯片设计工程中，PPA优化更具挑战性，三星18FDS工艺平台提供的分析功能能帮助设计人员。
Jinha Park表示，当前FD-SOI工艺慢慢的变成了无人驾驶、消费电子、通讯、机器人和工业等领域的优质选择。三星18FDS工艺提供原生3.3V和低泄漏电流等核心功能，将会成为物联网和MCU领域的重要平台节点。
FD-SOI在≥12nm和≤28nm区间有更好的成本和功耗优势，使其在广泛的AI和物联网市场有着非常大的市场空间。目前，晶圆代工厂都已经在22nm FD-SOI方面有非常成熟的方案，且应用方向在逐步扩展，同时芯原股份等公司也提供了广泛的IP。不过，FD-SOI是否会走向10nm或以下，目前还值得探讨。
的应用，很多人第一个想到的应用方向就是AIoT，这是一个非常大的方向，包括智能汽车、智能手机、可穿戴设备
的通信 /
已经深耕多年，其和意法半导体之间的合作也已经持续多年。早在2014年，意法半导体就曾对外宣布，
电子：18FDS将成为物联网和MCU领域的重要工艺 /
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